1 ترابایت
اینترنال
2280 M.2
PCIe NVMe
PCIe 4.0 x4
3500 مگابایت
1 گیگابایت LPDDR4
Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
– 35 میلیوات در حالت آماده باش, – 5.7 وات در حالت نوشتن, – 6.2 وات در حالت خواندن
1,000,000IOPS
1,000,000IOPS
– 1,500,000 ساعت (MTBF), – 600 ترابایت (TBW)
AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
– پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی, – پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه, – قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد, – قابلیت پایش دمای حافظه, – مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال, – مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلیثانیه
✔
✖
✔